مبانی طراحی ترانسفورماتور و سلف- Yozea Electronic Co.,LTD

مبانی طراحی ترانسفورماتور و سلف

ویرایش سوم کتاب درسی در ترانسفورماتورها و سلف ها اصول طراحی ترانسفورماتور و سلف را پوشش می دهد. کتاب درسی همچنین هندسه محصول منطقه و هسته را پوشش می دهد. ویرایش سوم برای دانشجویانی که به دنبال پایه ای محکم برای دوره مهندسی الکترونیک خود هستند ایده آل است. کتاب درسی همچنین تمرین های مفیدی را برای دانش آموزان ارائه می دهد تا دانش خود را محک بزنند.

ویرایش چهارم کتابچه راهنمای طراحی ترانسفورماتور و سلف رویکرد عملی تری برای طراحی ارائه می دهد. این راهنمای جامع بر اساس نیازها و دیدگاه های کاربر ارائه می دهد. برای در نظر گرفتن تحولات اخیر در صنعت، تجدید نظر شده است. این یک مرجع دائمی برای هر کسی خواهد بود که مایل به استفاده از اصول مدرن برای طراحی ترانسفورماتور و سلف است.

هنگام مقایسه عملکرد یک ترانسفورماتور، درک رفتار غیرخطی آن مهم است. غیرخطی بودن بر خواص مغناطیسی و القایی ترانسفورماتور تأثیر می گذارد. مدار معادل ابزار مهمی برای تجزیه و تحلیل عملکرد یک ترانسفورماتور است. می توان آن را ساده کرد و برای اکثر ترانسفورماتورها مفید است. با این حال، ترانسفورماتورهای ولتاژ بالا مورد استفاده در شبکه برق یک استثنا برای مدار معادل ساده شده هستند.

اندازه ترانسفورماتور به نوع و طراحی آن بستگی دارد. اندازه ترانسفورماتور و سلف برای بازده کلی مبدل بسیار مهم است. به عنوان مثال، مبدل های DC/DC ایزوله اغلب در کاربردهای فناوری اطلاعات مورد استفاده قرار می گیرند. علاوه بر این، طراحی سلف و ترانسفورماتور برای کاربردهای با پله پایین بسیار حیاتی است، جایی که جریان خروجی بالا است. کنترل جریان خروجی بالا به دلیل تلفات رسانایی بالا دشوار است.

یکی دیگر از راه های طراحی ترانسفورماتور استفاده از ساختار pot-core است. این امکان اتصال مغناطیسی بیشتر بین مدارهای اولیه و ثانویه را فراهم می کند. طراحی هسته گلدانی همچنین به بهبود خصوصیات ترانسفورماتور به طور کلی کمک می کند. هنگام استفاده از ترانسفورماتور هسته گلدانی، سیم‌پیچ اولیه روی برجستگی مرکزی ساختار هسته گلدان قرار می‌گیرد، در حالی که سیم‌پیچ ثانویه روی هسته استوانه‌ای نیم‌صد قرار دارد.

یک ترانسفورماتور معمولی شامل دو یا چند سیم پیچ است که به صورت مغناطیسی به یکدیگر کوپل شده اند. آنها معمولاً روی مواد کم تمایل قرار می گیرند. سیم پیچ های اولیه ترانسفورماتور به موازات یکدیگر متصل می شوند و سیم پیچ های ثانویه برای متعادل کردن جریان و تنش حرارتی با هم همپوشانی دارند.

سیم پیچ ثانویه باید نزدیک به سیم پیچ اولیه باشد تا مقدار شار مغناطیسی نشتی کاهش یابد. به این ترتیب می توان اندوکتانس نشتی را کاهش داد و اولیه و ثانویه را با تعداد چرخش های بیشتر بدون افزایش اندوکتانس نشتی کل پیچید. با این حال، شار مغناطیسی ناشی از نشت ترانسفورماتور را می توان توسط یک هسته E بسته کاهش داد.

این یک ساختار ترانسفورماتور دراز است که شامل سیم پیچ اولیه و سیم پیچ ثانویه PCB است. یک ساختار سیم پیچ مشابه را می توان در ساختار سیم پیچ PCB هشت لایه استفاده کرد.